Рубрика: Блог

В этом году исполняется 90 лет со дня рождения нашего соотечественника, выдающегося учёного – Жореса Ивановича Алфёрова. Его исследования в области гетеропереходов внесли огромный вклад в современную физику полупроводников. Активная общественно-политическая деятельность Жореса Ивановича говорит о нём как о настоящем гражданине и патриоте страны. Трудно писать о Жоресе Ивановиче Алфёрове, известном советском и российском учёном, получившем мировое признание, который только год назад активно участвовал в научной и общественной жизни. Теперь его нет с нами. Однако мы не должны думать, что открытия Алфёрова – дело прошлого. Мы должны смотреть в будущее и делать всё для того, чтобы Россия заняла достойное место среди мировых лидеров в производстве микроэлектроники. Вспоминаются слова Жореса Ивановича: «Я отношусь к оптимистам, потому что считаю, что у России будущее, безусловно, есть. И нужно за это будущее бороться…» [1]. Жорес Алфёров родился в Витебске 15 марта 1930 года. После окончания школы в Минске с золотой медалью поступил в Белорусский политехнический институт. Проучившись там несколько семестров, перевёлся в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) – ЛЭТИ (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). В 1952 году Алфёров с отличием окончил институт по специальности «Электровакуумная техника». Полученная Жоресом Ивановичем специальность далека от физики полупроводников, тем не менее интерес к полупроводниковой электронике у Алфёрова проявился ещё во время учёбы в институте. Что этому способствовало? В 1948 году американские физики Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Брэдфорд Шокли создали полупроводниковый транзистор [2]. Это важное научное открытие ознаменовало начало новой эпохи. В том же 1948 году не прошла мимо Алфёрова и первая публикация в СССР об усилителях на полупроводниках профессора Красилова «Кристаллический триод» [3]. Алфёров начал интересоваться полупроводниковой темой на кафедре основ электровакуумной техники под руководством Наталии Николаевны Созиной. После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алфёрова направили на работу в Ленинградский физико-технический институт им. Иоффе, где Жорес Иванович начал работать младшим научным сотрудником в лаборатории академика Владимира Максимовича Тучкевича. При участии Алфёрова в Ленинградском Физтехе были разработаны первые советские транзисторы и диоды. Кандидатскую диссертацию, посвящённую исследованию германиевых и кремниевых силовых выпрямителей, Алфёров защитил в 1961 году. С 1965 года Жорес Иванович – старший научный сотрудник. Докторскую диссертацию на тему «Гетеропереходы в полупроводниках» Алфёров защитил в 1970 году, став доктором физико-математических наук. С 1972 года он стал профессором ЛЭТИ. В 1973–2003 годах работал заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987–2003 годах – директор, а в 2003–2006 годах – научный руководитель ЛФТИ. В 1972 году Алфёров избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 году – академиком. Всего за свою жизнь великий учёный написал более 500 научных работ, три монографии и стал автором 50 изобретений. В 1988–2004 годах Алфёров – декан физико-технического факультета Ленинградского, а затем – Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (СПбГПУ). В 2004 году он основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (ИФНиТ). Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ. Вот так, если кратко, складывалась научная и педагогическая карьера Жореса Ивановича Алфёрова. Возникает закономерный вопрос: в чём секрет феноменального успеха и награждения Алфёрова Нобелевской премией по физике в 2000 году? Думаю, что это произошло, прежде всего, благодаря целеустремлённости и трудолюбию, которые были свойственны этому великому учёному. А ещё – удаче. В одном из интервью Жорес Иванович на вопрос, что важнее всего для успеха в научной деятельности – везение, талант или труд – ответил: «Где-то подобное сочетание уже было, я забыл имя автора, но в его книге содержался рецепт, как делать великие открытия. Там говорилось, что нужно вовремя разобраться в очень сложных вещах и обязательно иметь удачу…» И действительно, первое удачное событие произошло, когда Алфёров работал в лаборатории Владимира Максимовича Тучкевича и проводил исследования гетеропереходов. Хотя идея использования гетеропереходов в полупроводниковой электронике была давно известна, но многочисленные попытки реализовать её оказывались безрезультатными. Смелость научного поиска и способность предвидеть положительный результат способствовали интенсивному поиску Жоресом Ивановичем решения этой сложной проблемы. Для идеального гетероперехода подходили арсенид галлия и арсенид алюминия, но последний мгновенно окислялся на воздухе, и об использовании арсенида алюминия, казалось бы, не могло быть и речи. Но тут произошел удачный случай – появление замечательного специалиста по химии полупроводников, сотрудницы ЛФТИ, профессора Нины Александровны Горюновой, а точнее, одного из её учеников – Дмитрия Николаевича Третьякова, который работал непосредственно с Алфёровым. Третьяков сказал, что неустойчивый сам по себе арсенид алюминия абсолютно устойчив в тройном соединении алюминийгаллий-мышьяк в «твёрдом растворе». Так был найден известный теперь в мире микроэлектроники гетеропарагаллий – арсенид галлия-арсенид алюминия. В 1968 году в ЛФТИ в лаборатории академика В.М. Тучкевича засветился первый в мире гетеролазер. Затем в 1970 году Алфёров защитил докторскую диссертацию [4]. А в 1972 году творческий коллектив, возглавляемый Ж. И. Алфёровым, был удостоен высшей по тем временам отечественной научной награды – Ленинской премии. В число награждённых вошёл и Дмитрий Николаевич Третьяков. Вторая удача Алфёрова – командировка в США в 1971 году. Вот что учёный рассказывает об этом: «У нас было хорошее соглашение о научном обмене между Академией наук СССР и Национальной академией наук США. И согласно этому соглашению я полгода был приглашённым профессором (visiting professor) в Иллинойском университете. В Урбана-Шампейне я работал со своим старым другом профессором Холоньяком. В соответствии с соглашением, в последнем месяце пребывания в США объездил множество различных лабораторий». Продолжительная командировка в США расширила круг общения с американскими учёными и, главное, позволила реально признать заслуги Жореса Ивановича в микроэлектронике гетеропереходов в научном мире США. В 1990–1991 годах Алфёров – вицепрезидент АН СССР, с 1991 по 2017 год – вице-президент РАН. С 2007 года – председатель комиссии РАН по нанотехнологиям, с 2008 года – заместитель академика-секретаря отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. Учёный также являлся главным редактором научного журнала «Письма в журнал технической физики» РАН. С июня 2010 года – сопредседатель консультативного научного совета Фонда развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий «Сколково». Помимо научной работы, Алфёров занимался общественной и политической деятельностью. С 1989 по 1992 год работал депутатом Верховного совета СССР (избирался от АН СССР). С 1995 года – депутат Государственной думы Федерального Собрания РФ III-VII созывов. С 1999 года баллотировался в Госдуму по списку КПРФ: участвовал в выборах 1999 года под десятым номером общефедеральной части списка; 2003 года – под пятым номером; 2007 года – под вторым, после лидера КПРФ Геннадия Зюганова; 2011 года – под четвёртым. С 1999 года – член фракции КПРФ. В 1999–2007 годах Алфёров был членом думского комитета по образованию и науке, в 2007–2016 годах – комитета по науке и наукоёмким технологиям. В 2016 году вновь избран в Госдуму РФ VII созыва от КПРФ (четвёртый номер в общефедеральной части списка кандидатов). 86-летний Жорес Алфёров был самым старшим среди депутатов нижней палаты российского парламента. Член думского комитета по образованию и науке. Жорес Иванович не был членом КПРФ, но о себе говорил: «Я коммунист по своим убеждениям, хотя и беспартийный человек». Воспитание в семье убеждённых коммунистов, назвавших будущего академика именем выдающегося французского социалиста Жана Жореса, основавшего «Юманите» и Социалистическую партию Франции, самым серьёзным образом повлияло на судьбу Жореса Алфёрова. Алфёров стал известен не только научными открытиями, но и активной гражданской позицией. Об этом убедительно говорит участие учёного в XIX Международной встрече коммунистических и рабочих партий, посвящённой 100-летию Великой Октябрьской социалистической революции. Большой интерес вызвал доклад учёного на проведённой в честь 200-летия со дня рождения Карла Маркса Международной конференции «“Капитал” К. Маркса и его влияние на развитие мира». В конференции 2018 года участвовали 38 стран, а также представители практически всех российских регионов. Жорес Алфёров – лауреат Ленинской премии (1972) за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на основе этого принципа. В 1984 году он – лауреат Государственной премии СССР за цикл работ «Изопериодические гетероструктуры многокомпонентных (четверных) твёрдых растворов полупроводниковых соединений А3 В5 », опубликованных в 1971–1981 годах. В 2001 году Алфёров – лауреат Государственной премии РФ за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе». В 1971 году Франклиновский институт (США) присудил ему престижную медаль Баллантайна, которая была учреждена для награждения за лучшие работы в области физики. Медаль Баллантайна называют «малой Нобелевской премией». Кроме того, Жорес Иванович был награждён орденами Ленина (1986), Октябрьской Революции (1980), Трудового Красного Знамени (1975), Александра Невского (2015), «Знаком Почёта» (1959), орденами «За заслуги перед Отечеством» IV, III, II и I степеней (2010, 1999, 2000, 2005). Награждён иностранными орденами: Почётного легиона (Франция, 2011), Франциска Скорины (Белоруссия, 2001), Ярослава Мудрого V степени (Украина, 2003) и Дружбы Народов (2003, Белоруссия). Алфёров является лауреатом ряда научных премий, в том числе премии им. А. Ф. Иоффе РАН (1996), международной энергетической премии «Глобальная энергия» (2005). Также награждён золотой медалью им. А. С. Попова РАН (2000). В 2000 году Жоресу Ивановичу Алфёрову совместно с американскими учёными Джеком Килби и Гербертом Кремером присуждена Нобелевская премия по физике. Алфёров и Кремер получили награду за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике [6], Килби – за участие в изобретении первой интегральной схемы [7]. В 2001 году Алфёров учредил благотворительный Фонд поддержки образования и науки, в него учёный перечислил часть своей Нобелевской премии. Благодаря открытию Алфёрова стало возможным создание волоконнооптической связи, которая является, в частности, основой высокоскоростного доступа в Интернет. Алфёров является одним из создателей гетеролазеров, получивших применение в медицине, космосе и быту. Открытия Алфёрова позволили создать сверхвысокочастотные транзисторы и быстрые интегральные схемы, которые используются в спутниковой связи и мобильных телефонах. 19 апреля 2019 года был открыт в Академическом университете СанктПетербурга памятник академику и Нобелевскому лауреату. Бронзовый памятник изготовлен в авторской мастерской Зураба Церетели. Памятник разместили в холле университета рядом с портретами других выдающихся учёных. На торжественной церемонии открытия присутствовали члены семьи Алфёрова, коллеги и студенты университета. В заключение приведу высказывание о Жоресе Ивановиче Алфёрове президента РАН Александра Михайловича Сергеева: «Жорес Иванович не только великий учёный, но и человек, который очень многое сделал для РАН, в самое сложное время защищавший её позиции и престиж на всех самых высоких уровнях. Используя позиции во власти, всегда стоял на страже российской науки и в самые сложные годы нового российского времени стал для отечественной науки самым страстным защитником». (Владимир Бартенев — bartvg@rambler.ru)